恩智浦申请非易失性存储器内的电力撕裂保护专利，可实现对应TLE标志编程
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2025-06-14 19:10:44
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，恩智浦有限公司申请一项名为“非易失性存储器（NVM）内的电力撕裂保护”的专利，公开号CN120144047A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种非易失性存储器(NVM)系统包括划分成物理页的存储器阵列、控制电路系统和全局事务日志(GTL)。每个物理页被配置成存储所述物理页的对应有效负载和对应元数据。所述GTL的每个条目被配置成存储标识事务和由所述事务使用的对应物理页的事务描述符。每个条目还具有对应的事务日志条目(TLE)标志。所述控制电路系统被配置成用每个新事务以依序次序填充所述GTL的所述条目，并且响应于完成存储新事务的事务描述符，通过切换所述对应的TLE标志的逻辑状态来对所述对应的TLE标志进行编程。
来源：金融界
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