苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制作方法专利，降低关态时栅极靠近漏极一侧的漏电流
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2025-06-14 19:38:47
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120152327A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请实施例提供的一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括依次层叠的衬底、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层包括栅极区域、以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；P型半导体层位于栅极区域上；第一富氢层位于P型半导体层靠近漏极区域的一侧，第一富氢层的氢浓度大于P型半导体层的氢浓度，相对于P型半导体层，第一富氢层的电阻率较高，可以降低关态时栅极靠近漏极一侧的漏电流，并且可以降低开态时漏极一侧的电场强度，改善器件的可靠性。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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