杭州芯迈半导体申请半导体器件及其制造方法专利，在保持低反向恢复电荷的同时可以降低器件面积和成本
创始人
2025-06-17 16:08:47
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120166727A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，方法包括：在半导体层中形成多个栅沟槽；在相邻栅沟槽之间的半导体层中形成体区和源区，相邻栅沟槽之间的体区包括第一体区和第二体区；在半导体层中形成第一凹槽；在第一凹槽的底部形成体接触区；对第一凹槽进行刻蚀，去除第一凹槽底部的接触区以形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积导电材料以形成第一导电层；其中，所述第二凹槽的宽度大于所述第一体区和第二体区的间隔宽度。
天眼查资料显示，杭州芯迈半导体技术有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2707.9992万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州芯迈半导体技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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