在地缘因素持续动荡与人工智能技术竞赛的背景下，全球半导体产业面临重塑。在日前集邦咨询主办的“TSS 2025半导体产业高层论坛”上，行业分析师指出，尽管AI算力需求激增为市场注入动能，但供应链区域化、关税政策不确定性及产能结构性调整正重塑行业格局，晶圆代工厂区域分化将加剧。同时，在英伟达等算力巨头需求推动下，HBM（高带宽内存）迭代快速，市占率急速提高，产生的排挤效应正在重塑内存行业供给格局；在新材料领域，氮化镓正处于大规模应用的临界点，向汽车、AI数据中心、人形机器人等高功率场景推广。

区域分化加剧

当前全球晶圆代工产业面临着关税等短期政策冲击，对8英寸与12英寸产能带来不同程度影响。

集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣指出，8英寸晶圆产能因美国对华出口管制的“90天宽限期”出现挤单现象，客户急单拉货，但第三季度起利用率将开始下滑，第四季度可能进一步走弱。相比之下，12英寸产能则相对稳健，但台积电等大厂因客户库存调整也会有所下行，其先进工艺部分占比依旧维持高位。

关税政策的不确定性仍是最大变量。据集邦咨询统计，2024年全球半导体IC产业产值预计达到6473亿美元，同比增长25.6%，创近年新高。这一强劲增长主要受益于AI算力需求爆发及存储器价格触底反弹的双重推动。然而，随着美国新政府上台后实施的贸易限制与关税政策持续扰动市场，多家机构已将2025年半导体增长预期从年初预估的20%以上大幅下修至10%—15%。

在人工智能和车用电子带动下，2025年全球半导体晶圆代工营收预计同比增长19.1%，但若排除台积电贡献，行业增速将骤降至5.7%，这一显著差距凸显了先进制程技术对代工产业增长的显著作用。

另一方面，晶圆代工厂产业区域分化将加剧。

据统计，中国台湾地区目前虽以73%的全球代工产能占比领跑，但受电力制约以及产能外移等影响，其先进工艺份额预计从2021年的66%降至2030年的54%；相比之下，美国通过吸引台积电、英特尔等厂商投资，目标将本土先进工艺份额从18%提升至2030年的27%。其中，台积电亚利桑那州工厂受限于成本与良率，2030年预计仅有三座工厂完工，预估贡献16%的美国先进工艺产能。

与此同时，中国大陆聚焦成熟制程扩张，预计到2030年其12英寸晶圆产能年复合增长率达18.8%，远超全球平均的9.6%，成熟工艺市占率将突破48%。

终端厂商加速自研

AI算力革命为半导体市场带来新机遇。

郭祚荣表示，AI服务器芯片需求预计2024年同比增长24%，延续去年46%的高增长态势，成为支撑先进制程需求的核心动力。尽管AI芯片到2027年预计仅占先进工艺产能的9%，其产值占比却极高。相比，消费电子市场可能持续低迷。

集邦咨询资深分析师储于超强调，AI正重塑半导体产业格局。据集邦预测，到2028年，半导体产业年复合增长率为8.3%，其中数据中心以11.5%的复合增长率领跑，远超消费电子、工业等领域的6%以下增速。这一分化凸显AI对产业的结构性拉动作用。

在云端计算领域，英伟达凭借其GPU架构的绝对优势，成为产业增长的核心驱动力。2023—2024财年，英伟达营收同比激增125%，远超其他Fabless（无晶圆厂）芯片企业平均20%的增幅。英伟达AI服务器产品线通过异构计算、NV-Link高速互联及可扩展架构，牢牢掌控云端训练市场。

储于超指出，英伟达的毛利率已突破60%，但客户对单一供应商依赖的担忧日益加剧，谷歌、微软等云服务商正加速自研芯片（如TPU、DPU），甚至采用全光网络架构挑战其垄断地位。

随着终端厂商自研芯片、区域供应链重组等，AI服务器市场格局正在重塑。

集邦咨询研究经理龚明德指出，当前AI服务器以英伟达和AMD为代表的GPU为主，但是自研芯片具备增长潜力，预计今年占比有望达到25%。从供应链上下游反馈，AWS自研芯片增长速度比较快，预计今年出货量有机会翻倍增长。

“受地缘因素以及供应链风险，一些互联网业者明确AI应用服务需求，所以知道用怎样的ASIC（专用集成电路）AI芯片来辅助服务器，中长期而言是比较有潜力的。”龚明德表示。

据集邦咨询预测，2025年AI服务器的产值会达到30亿美元，同比增长46%。随着英伟达从H系列向B系列转换，整个AI服务器产值提升，预计今年AI服务器的市场占有率会从去年的67%提升到70%；另外，液冷散热方案的渗透率也有望从去年的14%提升到今年的30%。

HBM排挤效应

人工智能的兴起，直接拉动了HBM市场发展，2025年HBM总需求年增长94%，2026年增速将回落至50%以下，但仍远超整体DRAM增长水平。

集邦咨询分析师许家源介绍，HBM技术每两至三年迭代一代，但未来两年将加速推进，预计HBM3e将占据2025年出货份额超过90%，2026年HBM4将开始渗透市场，供货商预计2026年第二季度量产。其中，SK海力士继续位居HBM主力供应商，美光快速追赶。

市场需求方面，英伟达维持HBM消费市场最大份额，预测占据HBM约61%市场，2025年或进一步攀升至70%以上，但预计2026年后可能出现结构性转折。一方面，英伟达下一代芯片可能仍维持8颗HBM配置（12hi/36Gb），无法提升容量，导致需求增速放缓；另一方面，海内外自研厂商将加速推出搭载多层HBM的AI芯片，颗粒数持续攀升，缩小与英伟达差距。

HBM对内存产业带来了排挤效应。

据统计，三星、海力士、美光HBM在各自内存产能占比分别是23%、18%和26%，且HBM的增长速度高于整体内存增速，营收年增率高速增长，也带动整体内存价格上涨。因此，内存供应商巨头将HBM以及DDR5列为生产重心，相应排挤DDR4产能，导致DDR4价格上涨，也推动需求方从DDR4向DDR5快速迭代。

AI也为闪存市场带来了新的需求趋势。

据集邦咨询预测，AI带动服务器固态硬盘需求占比达9%—10%，预计到2028年这一占比将提升至20%；其中，企业级SSD将是受AI影响最大的领域，随着AI提高数据传输效率，PCIe Gen 5.0将在下半年成为主流，明年英伟达新一代产品将采用PCIe Gen 6.0，其他产品线由于成本竞争激烈，产能过剩，价格恐怕难以大幅反弹。

人工智能还将带来宽禁带半导体产业新机遇。

集邦咨询分析师龚瑞骄指出，GaN（氮化镓）正处于大规模应用的临界点，由中低功率消费电子逐渐走向高功率应用，汽车、AI数据中心、人形机器人等场景蕴藏巨大潜力，预计氮化镓的功率器件市场规模将会从去年的大概3.9亿美元成长到2030年的33.3亿美元。

在AI服务器领域，氮化镓将主要应用于服务器架构中的PSU（电源供应单元）模块和IBC（中间总线转换器）模块中。其中，当AI服务器PSU功率达到7千瓦以上，就需要使用氮化镓设计出满足功率密度和效能的电源产品。另外，人形机器人的关节也会大量使用到氮化镓，提升机器人高效、便捷性以及负载能力。