行至存储申请存储电容器及其制备方法专利，有效提高产品良率
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2025-06-20 14:38:18
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，行至存储科技（苏州）有限公司申请一项名为“存储电容器及其制备方法”的专利，公开号CN120187279A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种存储电容器及其制备方法，在刻蚀形成存储层及第一电极层之前先在第二电极层的侧壁形成保护侧墙，后续在刻蚀存储材料层及第一电极材料层形成相应的存储层及第一电极层时，由于该保护侧墙对第二电极侧壁的隔离保护作用，可有效避免存储材料层及第一电极材料层尤其是第一电极材料层的刻蚀残留附着、累积，或者第一电极材料层刻蚀不完全等原因导致第一电极层与第二电极层之间的间距进一步减小或者产生直接电连接，引起两者之间漏电的风险，有效提高产品良率。
天眼查资料显示，行至存储科技（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本758.928万人民币。通过天眼查大数据分析，行至存储科技（苏州）有限公司参与招投标项目1次，专利信息5条。
来源：金融界
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