长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等相关专利，有效降低半导体器件的栅极电阻
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2025-06-20 21:08:14
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120187062A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件的第一栅极结构设置于半导体本体的第一表面上，第二栅极结构与第一栅极结构电连接，第二栅极结构的材料包括金属材料，源极设置于第一表面上，且与半导体本体的第一区域和第二区域电接触，漏极设置于第二表面上。第一栅极结构和第二栅极结构共同组成的叠层结构视作半导体器件的栅极，由于金属材料具有较高的导电性，第二栅极结构的电阻较小，使得叠层结构的等效电阻较小，也即有效降低了半导体器件的栅极电阻，从而可以降低半导体器件的栅电压延迟，提升栅极的充电能力。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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