中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低了引出结构发生漏电的可能性
金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120184119A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一衬底，具有相对的第一面与第二面，第一衬底包括若干相互分立的引出区以及包围各引出区的各改性区；对各改性区进行改性处理以使各改性区具有导电性；在第一面表面形成第一器件层，第一器件层包括第一介质层以及位于第一介质层内的第一互连结构；在引出区内形成若干第一开口，第一开口自第二面向第一面贯穿第一衬底，且第一开口底部暴露出第一互连结构的部分表面；在各第一开口底部形成引出结构，引出结构与第一互连结构电连接；在形成引出结构后，在各引出结构两侧的第二面改性区表面施加相同电位，使相邻引出结构之间电位相同不产生电流，降低了引出结构发生漏电的可能性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界