御芯微信息技术申请基于MOS管的低导通压降等效二极管电路专利大幅提高效率并降低了能耗_电子技术

御芯微信息技术申请基于MOS管的低导通压降等效二极管电路专利大幅提高效率并降低了能耗

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2025-06-23 19:07:22

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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，重庆御芯微信息技术有限公司申请一项名为“一种基于MOS管的低导通压降等效二极管电路”的专利，公开号CN120185600A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请公开了一种基于MOS管的低导通压降等效二极管电路，电流采样电路对电流进行采样得到电流采样信号，电流阈值检测电路在电流采样信号大于预设阈值时输出MOS管驱动使能信号至MOS管驱动电路，在电流采样信号小于预设阈值时输出MOS管驱动关闭信号至MOS管驱动电路，MOS管驱动电路根据MOS管驱动使能信号开通MOS管，根据MOS管驱动关闭信号关闭MOS管，MOS管控制电流流动。本申请利用了MOS管的快速开关特性和低导通压降特点，结合电流采样、阈值检测技术，构建了一个高效的单向导电电路，在保持原有二极管功能的基础上大幅提高了效率并降低了能耗。

天眼查资料显示，重庆御芯微信息技术有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆御芯微信息技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

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