苏州能讯申请一种半导体器件及其制备方法专利，减小背面电极与漏极电极结构寄生电容
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2025-06-24 20:10:13
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，苏州能讯高能半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120201736A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底以及位于衬底一侧的外延结构；源极电极结构和漏极电极结构，位于外延结构远离衬底的一侧；背面电极，位于衬底远离外延结构的一侧；背面电极通过位于衬底和外延结构中的过孔与源极电极结构电连接；背面电极中设置有贯穿背面电极的第一镂空部，沿半导体器件的厚度方向，第一镂空部与漏极电极结构存在交叠。采用上述技术手段，沿半导体器件的厚度方向，第一镂空部与漏极电极结构存在交叠，如此能够减小背面电极与漏极电极结构之间的正对面积，进而减小二者之间的寄生电容，提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，苏州能讯高能半导体有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40284.5万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州能讯高能半导体有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息309条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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