4英寸Si/SiO₂衬底二硫化钼MoS₂（0.6 nm，近似单层）_电子技术

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2025-06-26 18:37:54

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4英寸Si/SiO₂衬底二硫化钼MoS₂（0.6 nm，近似单层）

4英寸Si/SiO₂衬底上的单层MoS₂薄膜是实验室与工业界广泛采用的二维材料结构，适配性强、工艺成熟、成本较低，厚度为0.6 nm，近似单层结构。通常Si衬底为p型硅片，上覆约300 nm热氧化SiO₂层，这一结构不仅利于材料光学识别，还可作为背栅电极和栅介质，适合直接用于器件构建。

在Si/SiO₂上生长MoS₂薄膜通常使用CVD或MOCVD方法，调控温度、气氛、前驱体流速和反应时间，可实现高均匀性和层数控制。尽管SiO₂为非晶或无定向性结构，容易导致MoS₂形成多晶岛状结构，但其机械附着性好、后续加工兼容性强，是*常用的二维材料衬底之一。

该结构广泛应用于二维半导体器件（如晶体管、光电二极管）、集成光电子器件、气体传感器、生物探测器等领域。同时，因其平台稳定、易于图案化，也常被用于二维材料电学、热学、光学研究的标准载体，是MoS₂初期研究与商业化布局的重要载体形式。厚度（可订制）

0.3-0.9nm（近似单层）；1-1.5 nm（近似两层）

1.6-3nm（近似少层）；3nm以上（多层）

产地：西安瑞禧生物

包装：片装

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