中微半导体申请发光二极管外延结构形成方法等专利，提高了LED的发光强度
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2025-06-27 21:38:32
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备”的专利，公开号CN120224861A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备。该形成方法包括：提供一基片，所述基片包含依次堆栈设置在衬底上的n型外延层、量子阱层；在量子阱层上循环进行多个生长周期制备电子阻挡层；每个生长周期包含第一子周期、第二子周期；第一子周期中，在量子阱层上形成掺杂镁的第一阻挡层；第二子周期中，在第一阻挡层上形成掺杂镁的第二阻挡层，第二阻挡层的镁掺杂浓度大于第一阻挡层，使得第二阻挡层中的镁可以扩散至第一阻挡层中，最终二者浓度相当。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1486条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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