章阁仪器申请半导体结构的缺陷检测方法专利，缩短检测周期
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2025-07-02 13:08:49
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市章阁仪器有限公司申请一项名为“半导体结构的缺陷检测方法”的专利，公开号CN120237035A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构的缺陷检测方法，涉及半导体技术领域。检测方法包括：提供堆叠结构，堆叠结构包括基底及基底上依次堆叠的第一材料层、第二材料层和第三材料层，堆叠结构内形成有多个第一凹陷结构，第一凹陷结构贯穿第二材料层和第三材料层，且暴露第一材料层；检测第一凹陷结构的底部尺寸，以作为第一尺寸；采用湿法蚀刻工艺对暴露的第一材料层和第二材料层进行蚀刻，以形成第二凹陷结构，湿法蚀刻工艺对第一材料层的蚀刻速率大于第二材料层；检测第二凹陷结构的底部尺寸，以作为第二尺寸；计算第二尺寸与第一尺寸的差值；在差值小于预设阈值时判断湿法蚀刻工艺存在蚀刻不足的现象。
天眼查资料显示，深圳市章阁仪器有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市章阁仪器有限公司参与招投标项目24次，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可164个。
来源：金融界
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