芯元基申请LED高压芯片制备方法及芯片专利，提供一种LED高压芯片的制备方法
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2025-07-04 13:39:12
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯元基半导体科技有限公司申请一项名为“LED高压芯片的制备方法与LED高压芯片”的专利，公开号CN120264947A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种LED高压芯片的制备方法，包括：提供一透明基板、第一基板与若干LED芯片，以及第一芯片转移结构；其中，若干LED芯片置于第一基板上，且若干LED芯片的出光面接触第一基板；第一芯片转移结构包括第二基板与排布于第二基上的若干粘性凸块；其中，若干粘性凸块的排布方式适配于LED高压芯片中的第一预设数量的LED芯片的排布方式；第一预设数量适配于所需的每个LED高压芯片的第一电压值；利用第一芯片转移结构，将第一预设数量的LED芯片转移到透明基板上，并分离若干粘结凸块与对应的LED芯片，以在透明基板上形成第一预设数量的LED芯片；形成第一绝缘层、电极连接层、P电极互连金属层110、N电极互连金属层109、散热金属板以及第二绝缘层。
天眼查资料显示，上海芯元基半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本675.0528万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯元基半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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