南亚科技申请具有催化导电层的半导体元件及其制造方法专利，公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法
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2025-07-04 13:39:18
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有催化导电层的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120261280A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。该半导体元件包括：一基板；一刻痕，位于该基板内且包括一底表面及两个侧壁；以及一催化导电层，位于该刻痕的该底表面上。该痕痕的该表面表面与该基板的一顶表面彼此平行。该刻痕的该两个侧壁是实质上垂直的。
来源：金融界
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