中兴通讯申请导电桥存储器及其制作方法专利，提升导电桥存储器性能
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2025-05-16 23:03:45
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，中兴通讯股份有限公司申请一项名为“导电桥存储器及其制作方法”的专利，公开号CN119997798A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明实施例提供了一种导电桥存储器及其制作方法。该导电桥存储器包括：衬底层，设于所述衬底层上方的第一金属层、设于所述第一金属层上方的介质层，以及设于所述介质层上方的第二金属层；其中，所述介质层中开设有纳米通孔，以连接所述第一金属层和所述第二金属层。通过本发明实施例，由于在介质层上开设了连接第一金属层和第二金属层的纳米通孔，从而为导电细丝的形成提供了预制路径，也即实现了导电细丝的可控性。因此，可以解决相关技术中需要一种导电细丝可控的导电桥存储器的问题，达到提升导电桥存储器性能的效果。
天眼查资料显示，中兴通讯股份有限公司，成立于1997年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本478353.4887万人民币。通过天眼查大数据分析，中兴通讯股份有限公司参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息1873条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可198个。
来源：金融界
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