萨瑞半导体申请低残压ESD器件及其制备方法专利，大幅地降低ESD器件的导通电阻
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2025-07-07 16:17:33
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，江西萨瑞半导体技术有限公司申请一项名为“一种低残压ESD器件及其制备方法”的专利，公开号CN120264789A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低残压ESD器件及其制备方法，该制备方法包括：提供P型衬底，通过掩膜层暴露出N型注入区与P型注入区；向N型注入区与P型注入区内同时注入惰性离子，形成非晶结构层；向N型注入区注入磷离子，在N型注入区内非晶结构层的表面形成N型触发区，以及向P型注入区注入硼离子，在P型注入区内非晶结构层的表面形成P型阳极区；对P型衬底进行多次退火处理，并在P型衬底的表面制作钝化层；对钝化层进行刻蚀开孔，得到接触孔以暴露出N型注入区与P型注入区的表面，在接触孔内生长电极层，得到低残压ESD器件。
天眼查资料显示，江西萨瑞半导体技术有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西萨瑞半导体技术有限公司参与招投标项目9次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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