萨瑞半导体申请低残压ESD器件及其制备方法专利,大幅地降低ESD器件的导通电阻
创始人
2025-07-07 16:17:33
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金融界2025年7月7日消息,国家知识产权局信息显示,江西萨瑞半导体技术有限公司申请一项名为“一种低残压ESD器件及其制备方法”的专利,公开号CN120264789A,申请日期为2025年05月。

专利摘要显示,本发明公开了一种低残压ESD器件及其制备方法,该制备方法包括:提供P型衬底,通过掩膜层暴露出N型注入区与P型注入区;向N型注入区与P型注入区内同时注入惰性离子,形成非晶结构层;向N型注入区注入磷离子,在N型注入区内非晶结构层的表面形成N型触发区,以及向P型注入区注入硼离子,在P型注入区内非晶结构层的表面形成P型阳极区;对P型衬底进行多次退火处理,并在P型衬底的表面制作钝化层;对钝化层进行刻蚀开孔,得到接触孔以暴露出N型注入区与P型注入区的表面,在接触孔内生长电极层,得到低残压ESD器件。

天眼查资料显示,江西萨瑞半导体技术有限公司,成立于2020年,位于南昌市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,江西萨瑞半导体技术有限公司参与招投标项目9次,专利信息16条,此外企业还拥有行政许可5个。

来源:金融界

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