浪潮慧芯申请倒封装结构的碳化硅二极管专利，可显著降低器件损耗
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2025-07-07 21:11:54
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，山东浪潮慧芯微电子科技有限公司申请一项名为“一种倒封装结构的碳化硅二极管”的专利，公开号CN120261431A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种倒封装结构的碳化硅二极管。包括碳化硅二极管核心和包覆碳化硅二极管核心的外壳；所述碳化硅二极管核心包括碳化硅二极管芯片，碳化硅二极管芯片下方为碳化硅二极管芯片电极；所述碳化硅二极管芯片电极下方设置有金属互连区，金属互连区下方设置有封装框架。本发明提供的倒封装结构的碳化硅二极管，选择了的材料和设计了合理的结构，采用金属互连区将碳化硅二极管芯片电极与封装框架连接至一起，比常规打线连接更加有效利用了碳化硅二极管芯片电极和封装框架的面积，较大的接触面积使得碳碳化硅二极管芯片电极与封装框架具有极低的电阻，在器件运行期间可以显著降低器件的损耗。
天眼查资料显示，山东浪潮慧芯微电子科技有限公司，成立于2017年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，山东浪潮慧芯微电子科技有限公司参与招投标项目13次，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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