中山远实微科技取得一种半导体封装结构及硒鼓专利，提高了封装产品的稳定性和气密性_电子技术

中山远实微科技取得一种半导体封装结构及硒鼓专利，提高了封装产品的稳定性和气密性

创始人

2025-07-14 11:39:37

0次

金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，中山远实微科技有限公司取得一项名为“一种半导体封装结构及硒鼓”的专利，授权公告号CN223087599U，申请日期为2024年09月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体封装结构及硒鼓，所述封装结构包括基板，所述基板上设有若干焊盘；ASIC芯片，所述ASICS芯片倒装焊接在所述基板上；MEMS传感器芯片，贴附于所述ASIC芯片的顶面，所述MEMS传感器芯片和所述ASICS芯片通过硅熔融的方式直接键合；塑封层，所述塑封层包裹所述ASICS芯片和MEMS传感器芯片，在所述ASICS芯片和MEMS传感器芯片的连接凸块的位置预留盲孔。本申请采用MEMS器件和ASIC芯片直接键合以及塑封体倒装焊的形式，提高了封装产品的稳定性和气密性；提高了芯片信号的传输的效率和稳定性，且无需对单个芯片进行封装后对多个封装体进行堆叠，大大减少了封装成品的厚度和体积，也不用考虑封装体之间的电连接性能问题。

天眼查资料显示，中山远实微科技有限公司，成立于2018年，位于中山市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中山远实微科技有限公司专利信息18条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

显示科技半导体稳定性提高了芯片传感器中山结构专利塑封层基板硒鼓

上一篇：全球半导体销售额5月同比增长19.8%，连续19个月实现同比增长

下一篇：惠科申请半导体基板及其制备方法和发光基板的制备方法专利，可避免ICP蚀刻工艺损伤发光元件侧壁

中山远实微科技取得一种半导体封装结构及硒鼓专利，提高了封装产品的稳定性和气密性

相关内容

热门资讯