爱思开海力士申请半导体存储器装置专利，提供一种新型半导体存储器装置构造
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2025-07-15 14:38:26
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN120321952A，申请日期为2021年01月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：栅极叠层，其包括在第一方向上交替地层叠的层间绝缘层和字线；沟道柱，其穿过栅极叠层并且朝向第一方向逐渐变窄；源极选择线，其围绕沟道柱并且延伸以与栅极叠层交叠；以及源极隔离绝缘层，其在源极选择线之间与栅极叠层交叠，并且朝向与第一方向相反的方向逐渐变窄。
来源：金融界
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