联芯集成电路制造申请半导体装置及其形成方法专利，公开一种半导体装置及其形成方法
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2025-07-15 17:39:47
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号CN120321983A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体装置及其形成方法，包括基底、两栅极结构、间隙壁结构、外延结构、帽盖结构及金属硅化物层。两栅极结构设置在基底上。间隙壁结构设置在基底上并环绕各栅极结构。外延结构设置在基底内，位于两栅极结构之间。帽盖结构设置在外延结构上，位于两栅极结构之间。金属硅化物层设置在帽盖结构上。间隙壁结构包含依序堆叠在栅极堆叠的侧壁上的第一间隙壁、第二间隙壁及第三间隙壁。第二间隙壁至少接触帽盖结构的一部分侧壁。
天眼查资料显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1619779.4万人民币。通过天眼查大数据分析，联芯集成电路制造（厦门）有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可321个。
来源：金融界
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