南亚科技申请包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法专利，实现半导体元件制备优化
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2025-05-17 16:35:14
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN119997504A，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置在该基底上；一第一金属接触件，设置在该栅极电极中；一第一间隙子，设置在该栅极电极的一侧壁上；一沟槽电容器，设置在该第一金属接触件上方并且与该第一金属接触件接触；以及一第一介电结构，设置于该基底上以及一第二间隙子上，其中该第一金属接触件借由该第一介电结构而暴露。
来源：金融界
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