硅电子申请测试半导体晶圆抵抗热致位错抵抗性方法专利，涉及特殊测试方法
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2025-07-22 22:09:36
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，硅电子股份公司申请一项名为“测试由单晶硅制成的半导体晶圆抵抗热致位错的抵抗性的方法”的专利，公开号CN120359599A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种测试由单晶硅制成的半导体晶圆抵抗热致位错的抵抗性的方法，包括：在竖式炉中使半导体晶圆经受与半导体材料的特性相适配的热处理，其中所述半导体晶圆具有直径且搁置在舟皿的数个指状件的接触点上，并且所述接触点到所述半导体晶圆的边界的距离具有不小于所述半导体晶圆的直径的5％且不大于所述半导体晶圆的直径的40％的长度；借助于SIRD系统对所述半导体晶圆的在所述接触点周围的一个或更多个部分表面实施BFA分析，其中所述一个或更多个部分表面到所述半导体晶圆的边界的最短距离不小于1mm且不大于所述半导体晶圆的直径的33％。
来源：金融界
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