沛顿存储申请多芯片连接结构的制备方法专利，提高制备多芯片连接结构的焊接可靠性
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2025-07-23 22:40:09
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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，合肥沛顿存储科技有限公司申请一项名为“多芯片连接结构的制备方法”的专利，公开号CN120356830A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明属于芯片技术领域，具体涉及多芯片连接结构的制备方法。步骤：在基材上涂覆释放层和粘合层；芯片上有铜柱凸点，芯片临时键合在粘合层上，控制部分的铜柱凸点嵌入粘合层；在粘合层上形成塑封层，塑封层包裹芯片和剩余部分的铜柱凸点，芯片和塑封层共同构成模块一；剥离粘合层，嵌入粘合层的铜柱凸点暴露在外，在模块一有铜柱凸点的那一面沉积非金属介质材料修饰铜柱凸点，铜柱凸点两侧不再暴露，将铜柱凸点剩余的暴露面与TSV中介层进行铜‑铜键合；去除TSV中介层多余的硅衬底，得到模块二，在模块二底部构建完整的RDL层，在完整的RDL层表面制作凸块。
天眼查资料显示，合肥沛顿存储科技有限公司，成立于2020年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本306000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥沛顿存储科技有限公司参与招投标项目45次，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可13个。
来源：金融界
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