鸿扬半导体申请半导体装置与其制造方法专利，降低半导体装置的电阻
创始人
2025-05-18 13:06:55
0次
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方法”的专利，公开号CN 119742228 A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种制造半导体装置的方式包含提供基板，在基板中形成第一沟槽，第一沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度，在第一沟槽的一侧形成阱与源极区，源极区在阱上，沿着基板的表面形成硬遮罩堆叠，在硬遮罩堆叠中形成第二沟槽，且第二沟槽的底部位于第一沟槽的转角的上方，进行离子植入工艺，以在基板靠近第一沟槽的转角的区域形成遮蔽掺杂区，移除硬遮罩堆叠，沿着基板的表面形成栅极介电层，且栅极介电层覆盖遮蔽掺杂区，以及在第一沟槽中形成栅极。本发明的一些实施方式可用于形成上宽下窄的栅极，因此在栅极的转角处形成的遮蔽掺杂区不容易遮挡住电子流的路径，从而降低半导体装置的电阻。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
哈啰普惠申请嵌入式设备升级方法...
国家知识产权局信息显示，上海哈啰普惠科技有限公司、上海造父智能科技有限公司申请一项名为“嵌入式设备的...
时代电气招标结果：DC-DC电...
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，株洲中车时代电气股份有限公司5月29日发布《DC-...
全志科技(300458.SZ)...
格隆汇6月1日丨全志科技(300458.SZ)在互动平台表示，公司目前不涉及AI电源的业务。
智慧创芯申请基于SoC芯片的高...
国家知识产权局信息显示，深圳市智慧创芯电子有限公司申请一项名为“基于SoC芯片的高效电源转换与管理系...
半导体ETF国联安：6月1日融...
证券之星消息，6月1日，半导体ETF国联安（512480）融资买入1.15亿元，融资偿还1.14亿元...
伊顿智能动力申请开关装置及用于...
国家知识产权局信息显示，伊顿智能动力有限公司申请一项名为“开关装置及用于操作开关装置的方法”的专利，...
OPPO取得射频收发电路专利可...
国家知识产权局信息显示，OPPO广东移动通信有限公司取得一项名为“射频收发电路、通信设备和无线通信方...
华润微集成电路申请驱动控制保护...
国家知识产权局信息显示，华润微集成电路（无锡）有限公司申请一项名为“驱动控制保护电路及电子产品”的专...
金卡智能：公司没有超级电容相关...
证券之星消息，金卡智能(300349)06月01日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...
烨映微电子申请高可靠性硅电容制...
国家知识产权局信息显示，上海烨映微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高可靠性硅电容的制作方法”的...