物元半导体申请半导体制造方法及半导体结构专利，避免表面出现凹陷等缺陷
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2025-05-18 13:06:56
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金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“半导体制造方法及半导体结构”的专利，公开号 CN119864322A，申请日期为 2025 年 3 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，属于半导体技术领域。半导体制造方法包括以下步骤：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底之上形成第一介电层；对第一介电层进行图形化以形成第一沟槽；在第一介电层之上沉积金属，以形成填充于第一沟槽内的金属填充部，以及高于第一介电层顶部所在平面的金属覆盖层；执行平坦化工艺以移除金属覆盖层，并使金属填充部的顶部与第一介电层的顶部齐平；形成覆盖在第一介电层和金属填充部之上的第一硬掩模层。通过对制造工艺进行优化，避免了表面出现凹陷等缺陷，同时降低了由于热膨胀不匹配而造成开裂的风险，提高了半导体器件的可靠性。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司参与招投标项目1次，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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