厦门统芯申请超小型高性能超辐射发光二极管及其实现方法专利，极大提升二极管的使用寿命
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2025-08-05 20:18:38
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，厦门统芯科技有限公司申请一项名为“一种超小型高性能超辐射发光二极管及其实现方法”的专利，公开号CN120435132A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明属于光纤传感技术领域，具体涉及一种超小型高性能超辐射发光二极管及其实现方法。包括管壳、金属套筒、陶瓷插芯光纤组件、引脚和封装在管壳内的半导体致冷器、超辐射发光二极管芯片、热敏电阻、过渡热沉、第一反射镜、第二反射镜、第一准直透镜、第二准直透镜、热沉、聚焦透镜；本发明发光二极管芯片实现控温的同时不会影响半导体致冷器以及发光二极管芯片的寿命，在确保发光二极管芯片始终在一个安全和高效的温度范围内工作的同时极大提升二极管的使用寿命；本发明与后端接收的光纤模场更匹配，并具有更高的耦合效率和输出光功率。
天眼查资料显示，厦门统芯科技有限公司，成立于2021年，位于厦门市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门统芯科技有限公司拥有行政许可4个。
来源：金融界
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