金融界2025年8月5日消息,国家知识产权局信息显示,德克萨斯仪器股份有限公司取得一项名为“具有双阱隔离的延伸漏极MOS”的专利,授权公告号CN113614882B,申请日期为2020年03月。
来源:金融界
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