南亚科技申请存储器元件与形成存储器元件的方法专利，降低形变或塌陷的风险
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2025-08-06 17:12:43
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器元件与形成存储器元件的方法”的专利，公开号CN120434996A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，一种形成存储器元件的方法包括形成堆叠于基材上方。堆叠包括第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层以及第三支撑层。方法还包括形成沟槽于堆叠中。方法还包括形成下电极于沟槽中。形成下电极于沟槽中包括：形成第一导电材料衬于沟槽；形成第二导电材料填充沟槽；以及执行平坦化工艺，以使第一导电材料齐平于第二导电材料。方法还包括自堆叠移除第一牺牲层与第二牺牲层。方法还包括形成电容器介电层于下电极上方。方法还包括形成上电极于电容器介电层上方。所形成的下电极具有更致密的核心，从而降低形变或塌陷的风险。
来源：金融界
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