格芯新加坡申请包括光电探测器和多个深沟槽的结构专利，涉及包括诸如单光子雪崩二极管之类的光电探测器的结构及相关方法
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2025-08-06 17:12:51
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，格芯新加坡私人有限公司申请一项名为“包括光电探测器和多个深沟槽的结构”的专利，公开号CN120435082A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开涉及包括光电探测器和多个深沟槽的结构。包括诸如单光子雪崩二极管之类的光电探测器的结构及相关方法。该结构包括：半导体层；光电探测器，其包括位于半导体层中的阱；以及深沟槽隔离区，其包括延伸穿过半导体层的第一导体层。深沟槽隔离区围绕光电探测器。该结构还包括：接合衬垫；以及电连接，其包括从接合衬垫延伸穿过半导体层的第二导体层。

来源：金融界

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