华虹半导体申请金属氧化物半导体静电保护器件专利，提高器件的ESD耐受能力
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2025-08-17 00:12:21
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体静电保护器件”的专利，公开号CN120500116A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种金属氧化物半导体静电保护器件，包括：衬底；设置在衬底中的第一导电类型的阱区；源极区，形成在第一导电类型的阱区中，源极区包括第一重掺杂区，第一重掺杂区为第二导电类型；漏极区；栅极结构；体接触区，体接触区包括第三重掺杂区，第三重掺杂区为第一导电类型；其中，漏极区包括：多个第二重掺杂区，多个第二重掺杂区为第二导电类型，且多个第二重掺杂区设置在邻近栅极结构的位置；第四重掺杂区，第四重掺杂区为第二导电类型，且第四重掺杂区不临近栅极结构设置；以及第二导电类型的轻掺杂漏极区，设置在多个第二重掺杂区和第四重掺杂区下方。本发明通过改变漏极重掺杂区的结构，改善ESD电流分布，提高器件的ESD耐受能力。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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