华虹半导体申请半导体器件及其制造方法专利，改善电迁移的特性_电子技术

华虹半导体申请半导体器件及其制造方法专利，改善电迁移的特性

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2025-08-18 11:23:30

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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120497204A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法，其中制造方法包括：首先在金属互连层上依次形成富氮的第一阻挡层和第二阻挡层，接着在第二阻挡层上形成低K介电层，接着形成相连通的沟槽和通孔，随后在沟槽的侧壁、底壁以及通孔的侧壁上形成扩散抑制层，接着在通孔和沟槽中形成金属材料层，最后形成富氮的第三阻挡层和第四阻挡层。本申请通过在金属互连结构和低K介电层之间形成富氮的第一阻挡层和第二阻挡层，富氮的第一阻挡层和第二阻挡层的组合和/或富氮的第三阻挡层和第四阻挡层的组合可以有效抑制金属互连结构中的金属离子在金属互连结构和低K介电层界面处的扩散情况，从而改善电迁移的特性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可227个。

来源：金融界

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