武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利 降低寄生电容的同时防止轻掺杂源漏之间短接
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2025-08-23 12:37:35
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120529626A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；栅极层，形成于所述衬底上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述主栅和所述扩展栅断开，所述扩展栅位于所述主栅的至少一端的一侧或两侧；绝缘介质层，形成于所述衬底上，所述绝缘介质层连接所述主栅与所述扩展栅。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目214次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1758条，此外企业还拥有行政许可106个。
来源：金融界
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