富芯半导体申请半导体结构及其制备方法专利，降低 SGT 和 BCD 器件集成的工艺成本
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2025-08-23 20:33:11
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金融界 2025 年 8 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN120529632A，申请日期为 2025 年 07 月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法；制备方法可以包括：提供基底，基底包括横向排布的 SGT 器件区和 BCD 器件区，SGT 器件区和 BCD 器件区的导电类型不同；于 SGT 器件区和 BCD 器件区形成多个深沟槽；对多个深沟槽进行栅极材料填充，形成 SGT 器件区的第一耐压栅结构和至少一个栅极填充结构，以及 BCD 器件区的第二耐压栅结构，第一耐压栅结构临近 BCD 器件区；基于至少一个栅极填充结构形成屏蔽栅结构；于 BCD 器件区形成多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构位于第一耐压栅结构和第二耐压栅结构之间。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息294条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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