金融界 2025 年 8 月 23 日消息,国家知识产权局信息显示,杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利,公开号 CN120529632A,申请日期为 2025 年 07 月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体结构及其制备方法;制备方法可以包括:提供基底,基底包括横向排布的 SGT 器件区和 BCD 器件区,SGT 器件区和 BCD 器件区的导电类型不同;于 SGT 器件区和 BCD 器件区形成多个深沟槽;对多个深沟槽进行栅极材料填充,形成 SGT 器件区的第一耐压栅结构和至少一个栅极填充结构,以及 BCD 器件区的第二耐压栅结构,第一耐压栅结构临近 BCD 器件区;基于至少一个栅极填充结构形成屏蔽栅结构;于 BCD 器件区形成多个间隔排布的浅沟槽隔离结构,浅沟槽隔离结构位于第一耐压栅结构和第二耐压栅结构之间。
天眼查资料显示,杭州富芯半导体有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次,财产线索方面有商标信息15条,专利信息294条,此外企业还拥有行政许可17个。
来源:金融界