杭州富芯半导体申请功率器件及其制备方法专利，简化BCD器件和SGT器件的集成工艺并避免栅极漏电
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2025-08-24 00:32:08
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN120529633A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种功率器件及其制备方法；包括：提供包括基底、第一氧化层、多个深沟槽、至少一个耐压栅结构和至少一个栅极填充结构的半导体结构；遮蔽耐压栅结构并回刻栅极填充结构，得到屏蔽栅极；去除遮蔽层，并去除基底表面和至少部分回刻的深沟槽槽壁的第一氧化层；形成至少覆盖暴露的深沟槽槽壁、屏蔽栅极和基底表面的第二氧化层，第二氧化层与深沟槽槽壁上余留的第一氧化层连续；形成位于屏蔽栅极上方的控制栅极，得到屏蔽栅结构，控制栅极、屏蔽栅极和基底通过第一氧化层和第二氧化层隔离；至少对控制栅极进行表面氧化，形成与第二氧化层连续的第三氧化层。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息294条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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