华为申请铁电场效应晶体管相关专利，降低铁电场效应晶体管的漏电流
创始人
2025-05-20 09:36:43
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“铁电场效应晶体管、存储阵列及方法、存储器及电子设备”的专利，公开号CN120018547A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种铁电场效应晶体管、存储阵列及方法、存储器及电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低铁电场效应晶体管的漏电流。FeFET为双栅型晶体管。铁电场效应晶体管包括衬底和设置在衬底上的第一绝缘介质层、第一导电材料层、第二绝缘介质层、铁电材料层以及第二导电材料层。衬底包括源极区和漏极区，源极区和漏极区之间的沟道分为第一部分沟道和第二部分沟道，第一部分沟道的开关受第一导电材料层控制，第二部分沟道的开关受第二导电材料层控制。铁电材料层和第二导电材料层搭接在第一导电材料层远离衬底一侧。双栅的FeFET可以改善FeFET漏电的情况，而铁电材料层位于第一导电材料层上方，可以降低第一导电材料层对铁电材料层极化方向的干扰。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4094113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1537个。
来源：金融界
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