9月25日，第四届GMIF2025创新峰会在深圳万丽湾酒店圆满落幕。本届峰会以“AI应用，创新赋能”为主题，汇聚全球存储产业链上下游领军企业、技术专家与行业领袖，共同探索AI驱动下存储技术的演进路径与产业机遇。三星电子副总裁、Memory事业部首席技术官Kevin Yoon发表题为《智构AI未来：开启内存与存储新纪元》的主题演讲，深度剖析AI时代存储技术挑战与突破方向，重磅发布多项前沿解决方案。

三星电子副总裁、Memory事业部首席技术官Kevin Yoon

AI迈入智能体时代，存储架构迎来范式重构

Kevin Yoon在演讲中指出，AI技术正经历从生成式AI（Generative AI）到智能体AI（Agentic AI），并终将迈向物理AI（Physical AI）的演进历程，当前行业已正式进入Agentic AI阶段。这种具备自主推理与决策能力的智能体技术，在生成式AI基础上被要求能够维持多种状态，并在不引入明显延迟的情况下使用工具，推动全球数据量与计算需求呈爆发式增长。

"Agentic AI推理过程中，数据需更长时间留存以获取最优结果，这直接导致内存容量需求激增。"Kevin Yoon强调，数据中心正加速向数据密集型计算方式转型，在此背景下，存储技术不再是后台支撑设施，而成为决定AI系统效率与可扩展性的核心环节。传统存储架构正面临带宽需求指数级攀升、功耗触及物理上限、延迟控制难度加大等多重挑战，内存层级结构亟须重构以适配新一代智能基础设施需求。

内存技术双线突破：三星实现GDDR7量产与CXL生态引领

针对AI服务器的高带宽需求，Kevin Yoon在演讲中公开了三星在下一代内存技术上的突破性进展：行业首款24Gb容量GDDR7产品已实现量产，并与领先GPU合作伙伴达成深度协同。该产品融合尖端制程工艺与优化电路架构，传输速率高达42.5Gbps，相比上一代产品能效提升超30%，为AI训练与图形渲染提供关键支撑。

为了解决DRAM的容量限制，计算快速链路（CXL）内存扩展器作为一种很有潜力的解决方案正在兴起。作为全球首个推出CXL产品的企业，三星自2021年起持续引领技术与生态发展，目前已实现DDR基CXL 2.0产品规模化量产。Kevin Yoon透露，随着CXL 3.0时代到来，三星正开发支持多服务器实时内存共享的新型设备，计划于明年推出兼容CXL 3.1与PCIe Gen 6.0的CMM-D解决方案，未来更将实现近内存处理引擎等全功能支持，进一步提升数据中心的灵活性与扩展性。

存储三维创新：性能、密度与散热的协同进化

在存储领域，Kevin Yoon围绕高性能、高密度、热控制三大核心维度，系统阐述了三星的技术布局与产品路线图。性能方面，针对PCIe接口代际升级带来的技术挑战，三星通过优化NAND与控制器协同设计，即将于2026年初推出PCIe Gen6 SSD产品PM1763。该产品在25W功耗限制下实现翻倍性能提升，能效比提升1.6倍，完美适配GPU密集型AI计算场景。

高密度存储领域，三星展现了行业领先的技术实力：2025年已推出128TB U.2接口SSD产品，2026至2027年更计划推出1T厚度的EDSFF形态产品，实现Gen5平台256TB、Gen6平台512TB的超高容量突破。这一系列突破得益于三星先进的32层堆叠封装技术，结合EDSFF形态的轻薄设计优势，可在有限空间内实现存储密度与能效的双重优化。

针对高性能存储带来的散热挑战，Kevin Yoon表示三星正从传统风冷向液冷等直接冷却技术转型。通过将E1.S 8TB SSD厚度从15T缩减至9.5T等形态优化，结合冷板与外壳间热阻最小化设计，确保下一代存储产品在满负荷运行时的系统稳定性。

定义新品类：内存级存储开启低延迟时代

面对AI推理场景中对小数据块快速访问的需求，三星提出“内存级存储（Memory Class Storage）”这一全新技术品类，旨在突破传统存储与计算间的性能鸿沟。该技术以GPU主动直接存储（GIDS）为典型应用，通过GPU与存储的直接数据交互，大幅降低系统延迟。

三星正在研发第七代Z-NAND技术，该技术是内存级存储概念的核心载体。这款面向GIDS场景优化的存储介质，其第三代产品将实现远超行业标准的吞吐量表现，在保持超高性能的同时最大化能效。“内存级存储将重新定义AI推理的响应速度标准，为实时智能应用提供关键支撑。”Kevin Yoon强调。

在演讲结尾，Kevin Yoon表示，三星通过内存与存储领域的全栈创新，不仅致力于解决AI时代的数据管理难题，更旨在解锁AI技术的全部潜能。未来，三星将持续突破技术极限，与全球合作伙伴共建存储生态，共同开启AI赋能的智能未来。

殊荣加身：获颁“杰出存储技术引领奖”

第四届GMIF2025创新峰会除了探讨AI时代下存储技术的演进与生态共建，同时对存储领域过去一年涌现的杰出企业、创新技术、优秀方案等进行评优并于会上重磅发布评选结果。

作为行业领军者，三星半导体在DRAM与NAND领域持续实现重大技术迭代，于会上荣获“杰出存储技术引领奖”。

三星半导体荣获“杰出存储技术引领奖”

评委会特别指出，面对AI爆发对高带宽、高能效存储的迫切需求，三星率先实现HBM、DDR5、LPDDR5X及高层堆叠3D NAND等前沿技术的规模化量产与应用，极大地加速了大模型训练、数据中心基础设施升级及高端智能终端创新，为全球客户提供了坚实的技术底座。

此次获奖，是对三星半导体通过持续研发投入重塑存储性能边界、赋能全球数字化进程的充分肯定。三星半导体表示，将继续引领存储技术创新，为产业链上下游提供尖端解决方案，推动AI应用广泛落地。

结语

本次峰会不仅汇聚了全球存储产业链的精英，更通过三星电子副总裁Kevin Yoon的精彩演讲，为行业揭示了AI驱动下存储技术的未来发展方向。从Agentic AI的崛起，到GDDR7和CXL技术的突破，再到高性能、高密度存储与散热技术的协同进化，三星在存储领域的创新成果令人瞩目。而“内存级存储”的提出，更是为AI推理场景带来了全新的解决方案。

荣获“杰出存储技术引领奖”的三星半导体，不仅在技术上取得了显著成就，更通过持续的研发投入，为全球数字化进程提供了坚实的技术支持。未来，三星将继续携手全球合作伙伴，共同探索存储技术的无限可能，开启AI赋能的智能未来。