意发功率半导体申请一种低功耗MOSFET元胞结构等专利，可降低FP引起的寄生电容
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2025-05-20 19:38:12
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，德兴市意发功率半导体有限公司申请一项名为“一种低功耗MOSFET元胞结构、制备方法及MOSFET器件”的专利，公开号CN120018558A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低功耗MOSFET元胞结构，该结构包括漏极金属以及位于漏极金属上表面的外延层，外延层中设置有U形纵向深槽，所述深槽内设置有多晶硅分离栅，所述多晶硅分离栅的中下部被热氧化层包裹，上部被介电隔离层包裹，介电隔离层的上方设置有两个相背设置的栅极，两个栅极间填充有介质层，栅极与深槽的槽壁间设置有栅氧化层，所述介质层延伸至外延层的上方，所述外延中还设置有P‑well区、N+区及P+区。
天眼查资料显示，德兴市意发功率半导体有限公司，成立于2018年，位于上饶市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3463.2994万人民币。通过天眼查大数据分析，德兴市意发功率半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可45个。
来源：金融界
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