上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利有效提高半导体功率器件的工作效率_电子技术

上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利有效提高半导体功率器件的工作效率

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2025-05-21 11:35:18

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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120018563A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括基底、电容调节层、栅极结构和漏极结构；电容调节层位于所述基底的一侧的中央位置；栅极结构位于所述电容调节层背离所述基底的一侧；所述栅极结构覆盖所述电容调节层的顶部和侧壁以及所述基底的至少部分表面；漏极结构位于所述基底背离所述栅极结构的一侧。本申请能够在不影响栅源电容的情况下有效降低半导体功率器件的栅漏电容，以兼顾实现转换速度的有效提高以及降低器件通态的功率损耗，从而有效提高半导体功率器件的工作效率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1818次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。

来源：金融界

企业制造方法功率器件电容导体结构调节专利基底半导体电容调节层

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