安徽格恩半导体申请具有抑制空间烧孔下波导层的半导体激光芯片专利，降低有源层和波导层中的位错密度均匀性、层错均匀性等问题_电子技术

安徽格恩半导体申请具有抑制空间烧孔下波导层的半导体激光芯片专利，降低有源层和波导层中的位错密度均匀性、层错均匀性等问题

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2025-05-21 11:35:29

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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有抑制空间烧孔下波导层的半导体激光芯片”的专利，公开号CN120016283A，申请日期为2024年09月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有抑制空间烧孔下波导层的半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述下波导层为抑制空间烧孔下波导层；所述抑制空间烧孔下波导层包括第一抑制空间烧孔下波导层和第二抑制空间烧孔下波导层；所述第一抑制空间烧孔下波导层的体积弹性模量的峰值位置往下限制层方向的下降角度为α,所述第二抑制空间烧孔下波导层的体积弹性模量的的谷值位置往下限制层方向的上升角度为β。本发明通过设计第一抑制空间烧孔下波导层和第二抑制空间烧孔下波导层的体积弹性模量和密度变化角度及分布，降低有源层和波导层中的位错密度均匀性、层错均匀性等问题。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

企业显示格恩激光限制半导体密度有源孔下专利弹性模量烧孔空间波导层导层

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