中芯国际申请半导体结构及形成方法专利,提升含有沟槽的器件的性能和均匀性
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2025-05-21 11:35:31
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金融界2025年5月21日消息,国家知识产权局信息显示,中芯北方集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及形成方法”的专利,公开号CN120018567A,申请日期为2023年11月。

专利摘要显示,本发明还提供一种半导体结构及形成方法,其中半导体结构包括:衬底,衬底包括第一区;位于第一区上的第一栅极,第一栅极内具有若干在垂直于衬底表面方向上贯穿第一栅极的沟槽;位于沟槽内支撑层;一方面沟槽的底部暴露出衬底的表面,避免沟槽底部产生界面态陷阱,提升含有沟槽的器件的性能和均匀性;另外一方面支撑层填充满沟槽,在后续进行平坦化的过程中,支撑层的支撑作用能够避免第一区在平坦化过程中出现的凹陷问题,大大地提升形成的半导体结构的良率。

天眼查资料显示,中芯北方集成电路制造(北京)有限公司,成立于2013年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本480000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯北方集成电路制造(北京)有限公司参与招投标项目45次,专利信息134条,此外企业还拥有行政许可450个。

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,成立于2002年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目51次,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目127次,财产线索方面有商标信息149条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可443个。

来源:金融界

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