美光科技申请形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统专利，本专利申请案涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统
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2025-05-21 13:36:52
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统”的专利，公开号CN120018499A，申请日期为2021年06月。
专利摘要显示，本专利申请案涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构，包括：基底结构；掺杂半导电结构，其包括上覆于基底结构的第一部分及从第一部分垂直延伸到基底结构中的第二部分；堆叠结构，其上覆于掺杂半导电结构；单元支柱结构，其垂直延伸穿过堆叠结构到掺杂半导电结构；及数字线结构，其垂直上覆于堆叠结构。形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构。将微电子装置结构附接到额外微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件。移除载体结构及掺杂半导电结构的第二部分。接着，图案化掺杂半导电结构的第一部分以形成耦合到单元支柱结构的至少一个源极结构。还描述装置及系统。
来源：金融界
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