金融界2025年5月21日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“稳压二极管及其制作方法”的专利,公开号CN120018525A,申请日期为2025年02月。
专利摘要显示,本申请公开了一种稳压二极管及其制作方法,该稳压二极管包括:衬底,其中形成有第一掺杂区,衬底上形成有外延层;外延层中形成有STI结构,STI结构两侧的外延层中形成第二掺杂区,第二掺杂区中形成有第一重掺杂区,STI结构环绕的外延层区域中形成有第二重掺杂区,第二重掺杂区下方的外延层中形成有第三掺杂区,第二重掺杂区和第三掺杂区之间形成有第四掺杂区;其中,第四掺杂区的深度小于第三掺杂区的深度;第一掺杂区、第二掺杂区、第一重掺杂区和第三掺杂区中掺入的杂质的导电类型相同;第二重掺杂区和第四掺杂区中掺入的杂质的导电类型相同,第二重掺杂区和第一掺杂区中掺入的杂质的导电类型不同。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2912次,专利信息1654条,此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目866次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可429个。
来源:金融界