京东方申请一种薄膜晶体管等专利，通过隧穿效应形成电流通道_电子技术

京东方申请一种薄膜晶体管等专利，通过隧穿效应形成电流通道

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2025-05-21 20:38:30

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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京京东方技术开发有限公司、京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“一种薄膜晶体管、其驱动方法、像素驱动电路及显示装置”的专利，公开号CN120018579A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种薄膜晶体管、其驱动方法、像素驱动电路及显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：衬底；有源层，位于所述衬底上；所述有源层包括PIN结，沿平行于所述衬底的平面方向，所述PIN结包括依次设置的P区、本征区和N区；所述P区掺杂的离子的种类，与所述N区掺杂的离子的种类不同；其中，所述有源层的材料为低温多晶硅，所述P区和所述N区用于构造隧穿效应，所述本征区用于在所述P区和所述N区中少子浓度低于第一预设阈值时断开电流通道，且在相应区域中电子浓度增加至第二预设阈值时通过所述隧穿效应形成所述电流通道。

天眼查资料显示，北京京东方技术开发有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3800万人民币。通过天眼查大数据分析，北京京东方技术开发有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目91次，专利信息2926条，此外企业还拥有行政许可4个。

京东方科技集团股份有限公司，成立于1993年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3765252.9195万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方科技集团股份有限公司共对外投资了68家企业，参与招投标项目246次，财产线索方面有商标信息776条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可45个。

来源：金融界

企业效应显示电流信息驱动京东方查大专利北京薄膜衬底 P区 N区晶体管

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