从2025年下半年开始，存储芯片的涨价潮就呈现出了加速态势。进入11月后，这波涨价潮不但未见减弱，反而变得愈加疯狂。

短短一周之内，DDR5高性能存储芯片现货价格飙升了25%。三星、SK海力士等原厂甚至一度暂停报价，这直接引发了市场恐慌性采购。摩根士丹利最新的研报数据显示，2025年第四季度的服务器DRAM（内存）报价已飙升近70%，NAND（闪存）合约价也上涨20-30%。

“内存涨价实在太多。”

雷军也在微博上回应Redmi K90定价太高，最主要是由上游存储成本太高导致。Redmi K90系列因存储成本飙升全系涨价100-400元，不同存储版本价差从400元拉大至600元。小米集团总裁卢伟冰则表示，上游成本压力已真实传导至新品定价，存储成本上涨也远高于预期，且会持续加剧。

摩根士丹利也发出明确信号：由AI驱动的内存超级周期不仅真实存在，而且其强度和持久性可能远超市场想象。同时，SK海力士、三星等将凭借强大的定价权，迎来利润率扩张和盈利的飙升。相反，下游的PC、手机和消费电子供应链将面临剧烈的成本压力和利润挤压。

涨价源头，科技公司的“算力军备竞赛”

“我们正在见证一个前所未见的市场结构。”

摩根士丹利在研报中表示，与以往由PC和智能手机驱动的周期不同，本轮内存需求的核心是一场围绕AI数据中心和云服务商展开的“军备竞赛”。这些客户对价格的敏感度远低于传统消费者，他们更关心能否获得足够的算力基础设施来支持其大语言模型（LLM）和AI应用的开发。

事实也是如此。一系列的数据显示，硅谷的科技巨头正在将大量资金押注在AI算力上，同时尽可能裁掉冗余的员工，以降低不必要的资本开支。

一家私营咨询集团公布，10月份美国企业宣布的裁员人数激增，今年已裁员超过100万人。与此同时，包括Meta、谷歌、OpenAI、微软等在内的科技巨头，正在大幅提高AI领域的资本开支。

Meta计划在2025年底之前部署高达130万块GPU，这一举措将为AI模型的训练和推理提供算力支持，进一步推动人工智能技术的发展。而到2028年，Meta将在美国数据中心和基础设施上花费至少6000亿美元。

此外，微软2026财年第一季度(截至9月30日)资本支出达349亿美元，预计全年资本支出将大幅增长，计划两年内将数据中心规模扩大一倍；谷歌2025年资本支出预期上调至910-930亿美元，并暗示2026年将“大幅增加”；亚马逊2025年已预留高达1000亿-1250亿美元的资本支出预算，主要用于AI项目和数据中心建设。

众所周知，AI服务器是名副其实的“内存吞噬者”。

与普通服务器相比，单台AI服务器的DRAM内存搭载量要高出3-5倍，而用于训练大模型的高带宽内存（HBM）需求更是飙升至“前所未有”的水平。同时，AI服务器也推动大容量存储需求，例如英伟达Blackwell平台的AI服务器，其SSD配置正从64TB向96TB升级。

为了满足利润丰厚的AI需求，三星、SK海力士、美光等主要存储芯片厂商做出了明确的战略调整：将资本支出和产能优先分配给HBM、DDR5等高端产品。

这种产能转移直接导致用于生产DDR4等传统内存的晶圆资源被大幅挤压。尤其值得注意的是，HBM由于其复杂的堆叠结构，在生产中会消耗大量产能。要达到与DDR5同等的芯片密度，HBM需要消耗三倍的晶圆。

这使得本已紧张的DRAM整体产能雪上加霜，甚至出现前代产品（DDR4）价格反超新一代产品（DDR5）一倍的“价格倒挂”现象。

国产存储芯片，迎来最佳“替代周期”

当存储芯片巨头的产能分配向企业级倾斜，导致的结果就是，PC和智能手机用的低功耗DRAM供应紧张，其价格涨幅预期也被大幅上调。也因此，拓宽供应渠道成为了终端厂商的必要选择。

面对原厂提价和供应紧张，小米、OPPO等品牌已启动“国产存储替代计划”，引入长江存储、长鑫存储等国产芯片，这不仅能缓解供应压力，价格也更具竞争力。

其中，长鑫科技自主研发的LPDDR5X产品已实现部分量产并推向市场。据长鑫科技官方披露，通过创新的封装技术和优化的内存设计，其LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps，性能对标国际领先水平。

长鑫的LPDDR5X产品提供12GB、16GB、24GB、32GB等不同封装解决方案，其中8533Mbps和9600Mbps速率产品已于2025年5月量产，10667Mbps速率产品已启动客户送样。目前，长鑫的产品已进入小米、OPPO、vivo、传音等主流手机品牌的供应链体系，并逐步拓展至物联网、服务器等高增长赛道。

同时，在2025年9月的云栖大会上，德明利也展示了为阿里云“磐久服务器”定制的企业级SSD。这标志着国产存储厂商成功进入头部云厂商供应链，为AI数据中心提供高性能、低延迟的存储解决方案。

此外，国产替代也并非简单的“平替”，在特定领域还能带来技术增益。例如，长江存储自研的Xtacking架构提升了存储密度；一些国产存储方案在能耗控制上表现出色，有助于提升终端设备的续航。与本土供应链的紧密合作也使定制化开发和快速响应需求成为可能，加速产品迭代。

根据2025年的市场信息，在AI驱动全球存储芯片价格大幅上涨的背景下，国产存储芯片凭借本土化生产和政策支持，价格通常比同等级别的进口产品低15%-20%。这意味着，若一部智能手机的存储模块成本为500元，采用国产芯片可能直接节省75-100元。

不过，需要注意的是，在高性能存储介质（如HBM）、高速接口技术和产业生态等方面，国产厂商仍存在代际差距。比如，三星、SK海力士、美光等厂商已经实现HBM3E量产，HBM4也在研发过程中。

所以，对于国产存储芯片而言，在通用服务器内存和企业级SSD领域，凭借性价比和供应链安全优势快速提升份额是更现实的突破口。中长期看，只有在HBM等最核心技术上取得实质性突破，国产存储芯片才算真正实现了突围。（作者 | 饶翔宇 编辑 | 钟毅）

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