华虹半导体申请深槽隔离结构的制作方法专利，可制作特定深槽隔离结构
金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深槽隔离结构的制作方法”的专利，公开号CN120015691A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种深槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有STI结构，衬底中STI结构的下方形成有埋层掺杂区，从俯视角度观察，STI结构呈网状结构，网状结构中每个网格所对应的区域为半导体器件的有源区，有源区中形成有半导体器件，衬底、STI结构和半导体器件表面覆盖有电介质层，电介质层上形成有层间介质层，层间介质层上形成有刻蚀停止层，刻蚀停止层上形成有硬掩模层；通过光刻工艺进行刻蚀，形成深沟槽，该深沟槽的底部低于埋层掺杂区，从俯视角度观察，深沟槽位于STI结构内且深沟槽的宽度小于STI结构的宽度；在深沟槽底部的衬底中形成掺杂区；在深沟槽位于衬底中的区域的侧壁形成氧化物层；在深沟槽中填充金属层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目866次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界