无锡芯动半导体申请具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构等专利提高MOSFET可靠性_电子技术

无锡芯动半导体申请具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构等专利提高MOSFET可靠性

创始人

2025-05-22 16:06:46

0次

金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，无锡芯动半导体科技有限公司申请一项名为“具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构、器件及制备方法”的专利，公开号CN120018559A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本发明提出了两种具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构，均通过中部屏蔽区和顶部屏蔽区将沟槽的侧壁完整包覆，一方面能够提高MOSFET的导通能力和耐压性，另一方面能够减少电场尖峰现象，降低栅氧层击穿风险；两种元胞结构的中部屏蔽区均跨越三区/层，这样有助于优化整个元胞结构的电场；此外，两种元胞结构的中部屏蔽区和顶部屏蔽区的离子浓度均依次升高，能够优化电场分布和击穿电压，提高MOSFET的可靠性。本发明还公开了具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET器件。此外，还公开了元胞结构的制备方法，通过三次分步注入能够优化击穿电压，平滑电场分布，优化体二极管的反向恢复性能。

天眼查资料显示，无锡芯动半导体科技有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯动半导体科技有限公司参与招投标项目53次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可34个。

来源：金融界

显示沟槽信息电场阶梯导体无锡碳化硅结构专利元胞阶梯型中部屏蔽区

上一篇：东方电热：公司研发的半导体电加热器主要用于芯片制造后道工序设备的加热

下一篇：中微半导体申请等离子体处理装置及其刻蚀方法专利，可实现对工艺过程的精确控制

无锡芯动半导体申请具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构等专利提高MOSFET可靠性

相关内容

热门资讯

无锡芯动半导体申请具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构等专利 提高MOSFET可靠性

相关内容

热门资讯

无锡芯动半导体申请具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构等专利提高MOSFET可靠性