中微半导体申请等离子体处理装置及其刻蚀方法专利，可实现对工艺过程的精确控制
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2025-05-22 16:06:47
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种等离子体处理装置及其刻蚀方法”的专利，公开号CN120020996A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种等离子体处理装置及其刻蚀方法，该等离子体处理装置包含一真空反应腔，所述真空反应腔内包含：下电极，其包含用于承载基片的承载面；上电极，其与下电极相对设置，所述上电极具有向腔内引入工艺气体的气体喷淋头，上电极与下电极之间形成反应区域；磁场元件，其环绕反应区域设置，所述磁场元件被配置为产生磁场以调节反应区域中的带电粒子，其中，所述磁场包含垂直于承载面的磁场和倾斜于气体喷淋头的下表面的发散性磁场。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1507条，此外企业还拥有行政许可71个。
来源：金融界
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