奥通碳素申请大型半导体用石墨制备方法专利，有效解决大型坯体纯度失控问题
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2025-12-01 17:37:25
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国家知识产权局信息显示，奥通碳素（内江）科技有限公司申请一项名为“一种大型半导体用石墨制备方法”的专利，公开号CN121021145A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种大型半导体用石墨制备方法，属于半导体用石墨技术领域。该方法包括原料预处理、成型工艺、石墨化与提纯及后处理步骤：将针状焦与碳基功能材料混合，在梯度磁场作用下加入碳基分散剂分散得到预处理原料；将其填入碳基模具，经梯度压力与梯度磁场协同冷等静压成型，通过碳基缓冲材料吸收应力得成型坯体；将坯体置于大型石墨化炉，分段调控磁场，通入混合气体并经碳基催化材料强化反应，利用气体回流延长芯部反应时间完成石墨化与提纯；最后经等离子体表面活化、氮化硼涂层沉积及退火处理，获得大型半导体用石墨产品。本发明能有效解决大型坯体纯度失控、杂质去除梯度差异大及应力大的问题，产品性能优异。
天眼查资料显示，奥通碳素（内江）科技有限公司，成立于2024年，位于内江市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，奥通碳素（内江）科技有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可30个。
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