芯恩申请半导体制备方法及SGT-MOSFET器件专利，拓宽器件的工艺窗口
创始人
2025-12-04 10:07:30
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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体制备方法及SGT-MOSFET器件”的专利，公开号CN121057246A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体制备方法及SGT‑MOSFET器件，方法包括：外延层表面有间隔分布的沟槽并覆盖有第一氧化层；第一氧化层上设置源极多晶硅填充沟槽并覆盖第一氧化层；源极多晶硅上设置掩膜层覆盖源极多晶硅；第一次刻蚀掩膜层和源极多晶硅，对掩膜层的刻蚀速率小于等于源极多晶硅，至源极多晶硅仅填充沟槽；第二次刻蚀源极多晶硅至低于第一表面。本发明在源极多晶硅上设置掩膜层，利用刻蚀剂的选择比，使得第一次刻蚀后得到的源极多晶硅表面为楔形凸起而非V形凹陷，配合刻蚀氧化层的同时对源极多晶硅的刻蚀，改善源极多晶硅顶部的尖端形貌，降低器件充放电过程中多晶硅的尖端电场聚集对器件性能的影响，拓宽器件的工艺窗口。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目188次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息873条，此外企业还拥有行政许可56个。
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来源：市场资讯
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