龙飞电气申请集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法专利，抗单粒子烧毁能力较好_电子技术

龙飞电气申请集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法专利，抗单粒子烧毁能力较好

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2025-12-09 15:08:36

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国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121099650A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层和外延层；其中，外延层中设置有竖向间隔排列的多个超结柱，每个超结柱的上方设置有body区；body区的表层设置有彼此相接的接触孔掺杂区和源掺杂区；外延层的上表面还设置有栅氧化层；栅氧化层为波纹状结构，且栅氧化层的下表面与位于外延层、body区和部分源掺杂区上表面的波纹状沟槽适配并接触；栅氧化层以及部分源掺杂区的上表面覆盖有多晶硅层，栅氧化层与多晶硅层组成波纹状栅极结构。本发明提供的集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件具有较好的抗单粒子烧毁能力和抗单粒子栅穿能力。

天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目40次，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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